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『簡體書』MOS集成电路工艺与制造技术

書城自編碼: 1919051
分類:簡體書→大陸圖書→工業技術電子/通信
作者: 潘桂忠
國際書號(ISBN): 9787547809808
出版社: 上海科学技术出版社
出版日期: 2012-06-01
版次: 1 印次: 1
頁數/字數: 489/670000
書度/開本: 16开 釘裝: 平装

售價:HK$ 250.8

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內容簡介:
本书编著者潘桂忠。 來源:香港大書城megBookStore,http://www.megbook.com.hk
《MOS集成电路工艺与制造技术》内容系统地介绍了硅集成电路制造技术中的基础工艺,内容包括硅衬底与清洗、氧化、扩散、离子注人、外延、化学气相淀积、光刻与腐蚀/N,蚀、金属化与多层布线、表面钝化以及工艺集成制造技术。前面l—10章,一方面介绍了各种工艺,建立了工艺规范并确定了其规范号;另一方面确定了工艺制程中的各种工序。集成电路工艺制程依一定次序的各工序组成,而工序由各工步所构成,工步中的各种工艺由其规范来确定,工艺规范由其规范号和工艺序号i得到,最终在硅衬底上实现所设计的图形,制造出各种电路芯片。前面l~10章为后面11~13章的各种工艺集成制造技术奠定了基础。ll~13章介绍了CMOS
和LV/Hv兼容
CMOS、BiCMOS和LV/HV兼容BiCMOS以及BCD工艺集成制造技术,给出部分实用简明工艺制程卡,并与工艺制程的剖面结构相对应。
目錄
第1章 硅衬底与清洗
 1.1 硅晶圆
 1.2 P型硅衬底
 1.3 N型硅衬底
 1.4 Pepi/P或Pepi/P+型硅衬底
 1.5 Nepi/P或Nepi/N+型硅衬底
 1.6 硅片激光编号
 1.7 硅片清洗分类及其步骤
 1.8 硅片各种清洗液及其清洗
第2章 热氧化
第3章 热扩散
第4章 离子注入及其退伙
第5章 硅外延
第6章 化学气相淀积
第7章 光刻
第8章 腐蚀和刻蚀
第9章 金属化
第10章 表面钝化
第11章 CMOS工艺集成
第13章 Bicmos工艺集成

 

 

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