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| 內容簡介： |
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本书是本经典教材，该版本反映了近年来集成电路设计领域面貌的迅速变化，突出了延时、功耗、互连和鲁棒性等关键因素的影响。内容涵盖了从系统级到电路级的CMOS VLSI设计方法，介绍了CMOS集成电路的基本原理，设计的基本问题，基本电路和子系统的设计，以及CMOS系统的设计实例（包括一系列当前设计方法和CMOS的特有问题，以及测试、可测性设计和调试等技术）。全书加强了对业界积累的许多宝贵设计经验的介绍。
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第1章 引论1.1 集成电路简史1.2 概述1.3 MOS晶体管1.4 CMOS逻辑1.5 CMOS的制造和版图1.6 设计划分(Design Partitioning)1.7 举例:一个简单的MIPS微处理器1.8 逻辑设计1.9 电路设计1.10 物理设计1.11 设计验证1.12 制造、封装和测试本章小结和本书概要习题第2章 MOS晶体管原理2.1 引言2.2 长沟道晶体管的I-V特性2.3 C-V特性2.4 非理想的I-V效应2.5 直流传输特性2.6 常见隐患与误区本章小结习题第3章 CMOS工艺技术3.1 引言3.2 CMOS工艺3.3 版图设计规则3.4 CMOS工艺增强技术3.5 与工艺相关的CAD问题3.6 有关制造的问题3.7 常见隐患与误区3.8 历史透视本章小结习题第4章 延时4.1 引言4.2 瞬态响应4.3 RC延时模型4.4 线性延时模型4.5 路径逻辑努力4.6 用于时序分析的延时模型4.7 常见隐患与误区4.8 历史透视本章小结习题第5章 功耗5.1 引言5.2 动态功耗5.3 静态功耗5.4 能耗-延时的优化5.5 低功耗体系结构5.6 常见隐患与误区5.7 历史透视本章小结习题第6章 互连线6.1 引言6.2 互连线建模6.3 互连线的影响6.4 互连线设计6.5 考虑互连线时逻辑努力方法的应用6.6 常见隐患与误区本章小结习题第7章 鲁棒性7.1 引言7.2 扰动7.3 可靠性7.4 按比例缩小7.5 扰动的统计分析7.6 容扰动设计7.7 常见隐患与误区7.8 历史透视本章小结习题第8章 电路模拟8.1 引言8.2 SPICE模拟器简介8.3 器件模型8.4 器件表征8.5 电路表征8.6 互连线模拟8.7 常见隐患与误区本章小结习题第9章 组合电路设计9.1 引言9.2 电路系列9.3 电路隐患9.4 其他电路系列9.5 绝缘体上硅的电路设计9.6 亚阈值电路设计9.7 常见隐患与误区9.8 历史透视本章小结习题第10章 时序电路设计10.1 引言10.2 静态电路的时序控制10.3 锁存器和触发器的电路设计10.4 静态时序元件设计方法学10.5 动态电路的时序控制10.6 同步器10.7 行波流水10.8 常见隐患与误区10.9 案例研究:Pentium4和Itanium2的时序控制策略本章小结习题第11章 数据通路子系统11.1 引言11.2 加法/减法11.3 1/0检测器11.4 比较器11.5 计数器11.6 布尔逻辑运算11.7 编码11.8 移位器11.9 乘法11.10 并行前置计算11.11 常见隐患与误区本章小结习题第12章 阵列子系统12.1 引言12.2 SRAM12.3 DRAM12.4 只读存储器12.5 顺序存取存储器12.6 按内容寻址存储器12.7 可编程逻辑阵列12.8 鲁棒性好的存储器设计12.9 历史透视本章小结习题第13章 专用子系统13.1 引言13.2 封装及冷却技术13.3 电源分布13.4 时钟13.5 PLL和DLL13.6 I/O13.7 高速链接13.8 随机电路13.9 常见隐患与误区本章小结习题第14章 设计方法学与工具14.1 引言14.2 结构设计策略14.3 设计方法14.4 设计流程14.5 设计经济学14.6 数据表和文档14.7 CMOS物理设计风格14.8 常见隐患与误区习题第15章 调试与验证15.1 引言15.2 测试仪、测试夹具和测试程序15.3 逻辑验证原理15.4 硅片调试原理15.5 制造测试原理15.6 可测性设计15.7 边界扫描15.8 大学环境下的测试15.9 常见隐患与误区本章小结习题附录A 硬件描述语言参考文献索引
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