新書推薦：
《
现代欧洲史：1500—1815
》
售價：HK$
105.6
《
高颜值创意饮品：咖啡 茶饮 鸡尾酒 气泡水
》
售價：HK$
71.8
《
慢慢来，好戏都在烟火里
》
售價：HK$
59.8
《
一间自己的房间
》
售價：HK$
47.8
《
波段交易的高级技术：股票和期权交易者的资金管理、规则、策略和程序指南
》
售價：HK$
94.8
《
人，为什么需要存在感：罗洛·梅谈死亡焦虑
》
售價：HK$
81.6
《
锁国：日本的悲剧
》
售價：HK$
93.6
《
AI智能写作： 巧用AI大模型 让新媒体变现插上翅膀
》
售價：HK$
70.8
|
| 編輯推薦： |
1. 国内首次从微电子系统角度总结了国内外辐射环境和辐射效应等方面的知识和技术。
2. 国内首次披露辐射环境模拟和结合集成电路仿真的多层次辐射效应数值仿真技术。
3. 国内首次介绍基于商用CMOS集成电路工艺的集成电路的抗辐射加固设计方法学。
4. 理论和实际相结合，系统总结了经典CMOS集成电路的抗辐射加固设计策略和电路。
|
| 內容簡介： |
本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应； 接下来，本书详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学，包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等； *后，本书介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。
本书可作为微电子和核科学等领域相关教师、研究生和工程人员在学术研究和工程技术方面的参考书。
|
| 目錄：
|
目录
第1章辐射环境介绍
1.1空间辐射环境
1.1.1背景知识
1.1.2高能离子
1.1.3俘获电子
1.1.4俘获质子
1.1.5太阳宇宙射线
1.1.6银河宇宙射线
1.2高能物理辐射环境
1.3核辐射环境
1.3.1核爆炸辐射环境
1.3.2核反应堆辐射环境
1.4地面辐射环境
1.4.1大气辐射环境
1.4.2地辐射环境
1.5本章小结
参考文献
第2章辐射相互作用物理过程
2.1半导体材料中辐射的相互作用
2.1.1简介
2.1.2电磁相互作用
2.1.3强子的相互作用
2.1.4弱相互作用
2.1.5相互作用的过程
2.2辐射输运
2.2.1玻尔兹曼传输方程
2.2.2计算技术
2.2.3辐射输运仿真工具介绍
2.3应用实例
2.3.1地球轨道电子环境
2.3.2木星的辐射环境
2.3.3行星环境
2.3.4单粒子效应和轨道结构的详细建模
2.3.5趋势
2.4本章小结
参考文献
第3章电离总剂量效应
3.1概述
3.2电离总剂量
3.2.1电离损伤概述
3.2.2氧化物俘获电荷
3.2.3界面态陷阱
3.2.4MOS器件中的1f噪声
3.3深亚微米工艺的辐射效应
3.3.1超小尺寸体硅CMOS工艺
3.3.2全耗尽型SOI的总剂量效应
3.3.3超薄氧化物
3.3.4高k电介质
3.4亚100nm CMOS工艺下的总剂量效应
3.4.1概述
3.4.2实验详情
3.4.3尺寸缩小对截止态电流的影响
3.4.4同一工艺节点上不同工艺类型的截止态电流
3.5本章小结
参考文献
第4章位移损伤效应
4.1背景信息
4.1.1早期的位移损伤效应研究
4.1.2位移损伤机制及效应的定性概述
4.2一致位移损伤效应
4.3非一致位移损伤效应
4.4位移损伤退火
4.4.1注入退火
4.4.2短期退火
4.4.3长期退火
4.5非电离能量损失和损伤相关性
4.5.1非电离能量损失率概念
4.5.2器件行为的NIEL相关性
4.5.3NIEL计算的进一步发展
4.5.4NIEL的使用约束
4.6位移损伤的演变和趋势
4.7本章小结
参考文献
第5章单粒子效应
5.1单粒子效应概述
5.1.1硅半导体中的单粒子效应产生原理
5.1.2专有名词
5.1.3存储器中的单粒子翻转机制
5.1.4数字电路中的单粒子效应机制
5.2新型器件和电路的发展趋势
5.2.1半导体发展路线图
5.2.2现代工艺中的缩小效应
5.3本底辐射的敏感度增强效应
5.3.1低能质子
5.3.2大气子
5.3.3低材料问题
5.4新兴器件和相关机制
5.4.1绝缘体硅工艺
5.4.2多栅极器件
5.4.3体硅和绝缘体硅FinFET晶体管
5.4.4具有独立栅极的多栅极和多沟道器件
5.4.5ⅢⅤ族FinFET和隧道场效应管
5.4.6无结器件
5.5三维集成
5.6本章小结
参考文献
第6章单粒子闩锁机制加固策略及测试方法
6.1闩锁机制
6.2闩锁加固策略
6.3电气闩锁测试
6.4单粒子闩锁测试
6.4.1单个粒子诱发闩锁测试
6.4.2脉冲激光诱发闩锁测试
6.5单粒子闩锁加固策略有效性
6.6本章小结
参考文献
第7章辐射加固器件的SPICE模型
7.1环栅版图晶体管介绍
7.2环栅版图晶体管建模技术
7.2.1宽长比
7.2.2输出电阻
7.2.3电容
7.2.4仿真方法
7.3实验结果及讨论
7.3.1矩形晶体管比较
7.3.2环栅版图晶体管比较
7.3.3梯形晶体管比较
7.4其他加固器件的建模
7.5本章小结
参考文献
第8章抗辐射单元库设计
8.1组合逻辑加固
8.1.1单粒子闩锁加固
8.1.2总剂量加固
8.1.3总体加固影响
8.2组合单元优化
8.2.1晶体管尺寸的限制
8.2.2手动布局改进
8.2.3自动布局布线改进
8.3触发器加固
8.3.1传统时间冗余加固
8.3.2传统三模冗余加固
8.3.3高速三模冗余加固
8.3.4功耗和延迟比较
8.3.5辐射测试
8.4存储器单元加固
8.4.16管存储单元
8.4.2HIT存储单元
8.4.3DICE存储单元
8.4.410管存储单元
8.4.5几种抗辐射加固单元的性能对比
8.5单元库参数提取
8.5.1抽象生成
8.5.2单元提取
8.5.3单元库特性
8.5.4单元库文件提取实例
8.6本章小结
参考文献
第9章自动综合的抗辐射数字电路设计
9.1自定义CAD工具
9.2综合
9.3布局
9.4三模冗余
9.4.1布图规划解析
9.4.2网表解析
9.4.3布局解析
9.5布线
9.6时序分析和验证
9.7片外逻辑接口
9.8片上逻辑接口
9.9芯片接口实例
9.9.1双模冗余接口
9.9.2高速缓存接口
9.10双模冗余嵌入式处理器设计实例
9.11本章小结
参考文献
第10章模拟和混合信号电路加固设计
10.1模拟和混合信号电路的单粒子效应
10.1.1单粒子机制
10.1.2模拟单粒子瞬态
10.1.3运算放大器的单粒子效应
10.2偏置相关的单粒子效应模型
10.3电荷共享加固设计方法
10.3.1差分电荷消除版图
10.3.2敏感节点有源电荷消除
10.4节点分裂加固设计方法
10.4.1开关电容电路加固方法
10.4.2运算放大器加固方法
10.5本章小结
参考文献
第11章集成电路辐射效应仿真
11.1单粒子效应建模和仿真问题
11.1.1器件级建模方法
11.1.2电路级建模方法
11.1.3蒙特卡罗仿真工具
11.2单粒子效应仿真实例
11.2.1设计仿真电路模型
11.2.2SRAM三维建模： Gds2Mesh
11.2.3查看结果
11.3总剂量效应仿真
11.3.1概述
11.3.2方法
11.4位移损伤仿真
11.5本章小结
参考文献
第12章单粒子效应的脉冲激光测试原理
12.1概述
12.2激光测试技术基础
12.2.1激光测试技术的分类
12.2.2激光产生率建模
12.2.3激光与重离子产生率的对比
12.3用于集成电路测试的脉冲激光系统
12.3.1激光测试的基本原理
12.3.2实验平台
12.3.3自动化测试
12.3.4其他系统
12.4激光系统的应用举例
12.4.1单粒子翻转激光截面
12.4.2商业SRAM芯片的激光测试方法
12.4.3双光子吸收诱发载流子的激光单粒子效应测试
12.5本章小结
参考文献
第13章辐射加固保障测试
13.1实验室辐射源
13.1.1总剂量辐射源
13.1.2单粒子效应粒子加速器
13.1.3辐射源的选择
13.2总剂量辐射加固保障测试
13.2.1总剂量辐射加固保障测试方法
13.2.2剂量率增强效应
13.2.3辐射前升温应力老化效应
13.2.4辐射保障测试的最佳实验室源
13.2.5最坏情况偏置
13.2.6测试温度的影响
13.3单粒子效应辐射加固保障测试
13.3.1简介
13.3.2单粒子翻转
13.3.3单粒子闩锁
13.3.4单粒子烧毁和单粒子栅穿
13.4本章小结
参考文献
附录A
|
| 內容試閱：
|
前言
航天技术、空间技术、核能工业、高能物理研究等技术的迅速发展，特别是这些技术及产品在国防、军事、武器装备系统的应用，迫使半导体器件需要在高能粒子辐射环境中工作。提高集成电路的抗辐射能力已成为航空、航天、核领域及武器装备应用研究的重点。
辐射环境能够使电子器件发生损伤效应，导致内部信号突变，从而使电子部组件发生功能故障甚至损坏。而且，长期辐射也会使器件属性发生改变，导致电子系统产生新的问题。一般地，长期辐射带来的问题都通过专用抗辐射制造工艺加固进行解决。采用专用抗辐射工艺能够为芯片开发者提供一种用于设计空间使用的电子元器件的不很复杂的技术。但采用这种技术的芯片一般市场需求很小，制造工艺要求高，周期很长，因而使设计和制造的原理样片代价非常昂贵。另外，专用抗辐射工艺在寿命上也有限制，开发一种新工艺的成本也非常高。抗辐射工艺的寿命限制阻碍了好芯片产品的长期使用，使基于专用工艺加固的芯片研制难度很大。为了解决这些问题，微电子界普遍倾向于采用商用CMOS工艺设计抗辐射芯片。采用多项目晶圆的商用CMOS工艺能加快设计周期，降低设计成本。尽管商用CMOS工艺没有对辐射效应进行处理，但通过抗辐射加固设计的方法可以减缓辐射效应。同时，利用商用制造商的低成本、可入性、长寿命和多样性等优势完全可以弥补传统抗辐射工艺线的限制。
目前，抗辐射集成电路设计成为国内外微电子学领域十分重视的课题之一。美国航空航天局、桑迪亚国家实验室、费米国家实验室、欧洲航天局、欧洲核子中心、法国原子能局、比利时鲁汶天主教大学、荷兰代尔夫特理工大学及德国亚琛工业大学等都先后开展了抗辐射集成电路加固设计技术方面的研究。国内航天772所、航天771所、中科院微电子所等单位也开始了抗辐射集成电路设计技术方面的研究，但由于国内在这方面起步比较晚，还没有形成气候，在教材和专著方面也相对比较落后。目前国内还没有系统地介绍抗辐射集成电路设计方面的教材或专著。本书收集了国内外关于辐射效应、损伤机理和辐射加固设计技术等方面的资料，对抗辐射集成电路设计概念、基础理论和相关技术等方面进行了全面总结和论述，可作为微电子和核科学等领域相关教师、学生和工程人员在学术研究和工程技术方面的参考书。
本书第1章介绍各类辐射环境。第2章介绍辐射相互作用的物理过程和建模。第3~5章分别介绍电离总剂量效应、位移损伤效应和单粒子效应。前5章是抗辐射集成电路的基础，主要从外部环境、内部机制和效应特征等方面进行详细论述。第6章介绍单粒子闩锁机制、加固策略和测试方法。第7章介绍辐射加固器件的SPICE模型，给出了环栅版图晶体管、梯形晶体管和栅包围源（漏）晶体管的SPICE模型和测试结果。第8章、第9章分别介绍抗辐射单元库设计和自动综合的抗辐射数字电路设计。第10章介绍了模拟和混合信号集成电路抗单粒子加固设计方法和电荷共享加固设计和节点分裂加固设计方法。第6章~第10章介绍抗辐射加固设计方法学，是本书最核心的内容。第11章介绍集成电路辐射效应仿真。第12章介绍单粒子效应的脉冲激光测试原理。第13章介绍辐射加固保障测试。后3章主要从抗辐射集成电路仿真验证和测试保障方面讨论一些常用的技术和方法。
在本书的编写过程中，参考了国内外有关单位和学者的研究论文，在此一并表示感谢。书中有些内容是编者团队的成果，向我的同事和学生们表示真诚的感谢。薛菲菲、李雄、薛浏蒙、李帅、姜东蛟、葛兴、段懿玮、吴梦施、李志军、姚英朋、唐尹、刘媛和苗兆伟等参与了文献翻译、资料核实和文字图片编辑工作，借此机会对他们的辛勤工作表示深深的谢意。感谢苏州柯晶达公司提供辐射效应仿真资料和数据。
本书的研究和编写工作得到了 2011 年国家重大科学仪器设备专项子任务 （2011YQ04008202）、 20132016 年国家高新技术发展计划（863计划）项目（2013XX08、 2014XX45、2014XX90、2015XX39）、2015 年国家自然科学基金面上项目（11475136、 11575144）、2015年国家安全重大基础研究项目（2015XX0103）、2017年陕西省重点研究计划青年科技新星项目（ 2017KJXX21）以及中央高校基本科研业务费资助项目 （3102018jgc007）等科研项目的资助。
由于编者水平所限，书中难免存在不足，敬请读者朋友批评指正。
编者
2018年6月于西安
|
|
購物車/收銀台(
0
) | 在線留言板
| 付款方式
| 運費計算
| 聯絡我們
| 幫助中心 |
加入書簽
HOME
新書上架
