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| 內容簡介： |
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《硅基氮化镓外延材料与芯片》共8章。其中，第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义，着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发，依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3～7章依次介绍了Si基GaNLED材料与芯片、Si基GaN高电子迁移率晶体管、Si基GaN肖特基二极管、Si基GaN光电探测芯片和Si基GaN光电解水芯片的工作原理、技术瓶颈、制备工艺以及芯片性能调控技术，并介绍了上述各种Si基GaN芯片的应用与发展趋势。第8章对Si基GaN集成芯片技术进行了阐述。
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| 目錄：
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目录《半导体科学与技术丛书》出版说明序前言第1章 Si基GaN材料与芯片的研究意义 11.1 半导体材料的分类 11.2 GaN的结构与性质 41.3 GaN制备的难点 71.4 Si基GaN材料与芯片 9参考文献 12第2章 Si基GaN材料的外延生长 152.1 Si基GaN薄膜的外延生长 152.1.1 Si基GaN外延薄膜生长的科学技术难题 152.1.2 GaN薄膜生长的基本模型.182.1.3 横向外延过生长 202.1.4 插入层技术 222.1.5 低温生长技术 272.1.6 应力补偿技术 302.2 零维GaN量子点的生长技术 342.2.1 Si基GaN量子点的优势及生长难点 342.2.2 缓冲层生长技术 372.2.3 自组织生长技术 402.2.4 选区生长技术 442.3 一维GaN纳米线的生长技术 482.3.1 一维GaN纳米线的优势及生长难点 482.3.2 催化剂辅助生长技术 512.3.3 掩模法选区生长技术 522.3.4 自组装生长技术 542.4 二维GaN的生长技术 592.4.1 二维GaN的优势及生长难点 592.4.2 石墨烯封装的迁移增强技术 602.4.3 模板技术 642.4.4 表面限域生长技术 65参考文献 67第3章 Si基GaN LED材料与芯片 753.1 引言 753.2GaNLED芯片工作原理 753.3 Si基GaN LED材料的发展意义 773.3.1 Si基GaN LED的优势 773.3.2 Si基GaN LED面临的瓶颈 783.4 Si基GaN LED材料的生长与优化 783.4.1 V形坑调控技术 783.4.2 超晶格应力释放层 803.4.3 InGaN/GaN多量子阱的优化 813.4.4 电子阻挡层 833.4.5 p 型GaN的设计 853.5 Si基大功率GaN LED芯片的制备工艺 863.5.1 各类结构性能对比 863.5.2 Si基GaN LED芯片的工艺流程 873.5.3 分割线电极技术 883.5.4 三维通孔电极技术 893.5.5 电流阻挡层 913.5.6 镜面结构 923.5.7 金属键合 943.5.8 激光剥离技术 953.5.9 表面粗化 973.6 Si基GaN LED芯片的应用及发展趋势 983.6.1 照明及其发展趋势 983.6.2 micro/mini-LED及全彩显示 983.6.3 Si基紫外LED 993.6.4 可见光通信应用及其发展趋势 101参考文献 104第4章 Si基GaN高电子迁移率晶体管 1074.1 引言 1074.2GaNHEMT芯片的工作原理及制备工艺 1084.2.1GaN异质结及其极化效应 1084.2.2GaNHEMT芯片的工作原理 1104.2.3GaNHEMT芯片的基本工艺技术 1114.3GaNHEMT芯片分类及应用 1144.3.1 耗尽型GaN HEMT芯片 1154.3.2 增强型GaN HEMT芯片 1164.3.3GaNHEMT芯片的性能参数 1194.4 Si基GaN HEMT芯片性能提升技术 1224.4.1 Si基GaN HEMT芯片性能提升面临的难点 1224.4.2 异质外延结构调控技术 1234.4.3 Si基GaN HEMT芯片关键技术 1364.5 Si基GaN HEMT芯片应用及发展趋势 1424.5.1 电力电子应用及其发展趋势 1424.5.2 射频应用及其发展趋势 144参考文献 146第5章 Si基GaN肖特基二极管 1485.1 引言 1485.2 Si基GaN SBD的原理及性能参数 1495.2.1 工作原理 1495.2.2 性能参数 1585.3 Si基GaN SBD芯片性能调控 1615.3.1 Si基GaN SBD芯片的优势及面临的瓶颈 1615.3.2 Si基GaN SBD芯片结构设计 1655.3.3 Si基GaN SBD关键工艺 1785.4 Si基GaN SBD的应用及发展趋势 1845.4.1 电源管理 1855.4.2 射频前端 1865.4.3 发展趋势 187参考文献 188第6章 Si基GaN光电探测芯片 1916.1 引言 1916.2 Si基GaN光电探测芯片的工作原理及制备工艺 1926.2.1 Si基GaN光电探测芯片的工作原理 1926.2.2 Si基GaN光电探测芯片的性能参数 1956.2.3 Si基GaN光电探测芯片的制备工艺 1996.3 Si基GaN光电探测芯片性能调控技术 2016.3.1 Si基GaN光电探测芯片面临的瓶颈 2016.3.2 局域表面等离激元共振技术 2026.3.3 新型异质结技术 2046.3.4 低维纳米材料技术 2106.4 Si基GaN光电探测芯片的应用 2156.4.1 光通信 2166.4.2 光学成像 218参考文献 219第7章 Si基GaN光电解水芯片 2227.1 引言 2227.2 Si基GaN光电解水芯片的工作原理与结构参数 2237.2.1 光电解水芯片的工作原理 2237.2.2 Si基GaN光电解水芯片的结构 2257.2.3 Si基GaN光电解水芯片的性能参数 2267.3 Si基GaN光电解水芯片的发展意义 2307.3.1 Si基GaN光电解水芯片的优势 2307.3.2 Si基GaN光电解水芯片面临的瓶颈 2307.4 Si基GaN光电解水芯片的制备及性能 2317.4.1 Si基GaN光电解水芯片的制备工艺 2317.4.2 低失配外延技术 2347.4.3 掺杂工程 2367.4.4 异质结工程 2397.4.5 表面改性技术 2437.5 Si基GaN光电解水芯片的应用 2457.5.1 污染物分解 2457.5.2 海水电解 2477.5.3 PV-PEC耦合 248参考文献 250第8章 Si基GaN集成芯片 2538.1 引言 2538.2 Si基GaN集成芯片工作原理及工艺 2548.3 Si基GaN集成芯片的优势及应用 2548.3.1 Si基GaN数字芯片 2558.3.2 Si基GaN模拟芯片 2588.4 Si基GaN集成芯片的发展趋势 262参考文献 263《半导体科学与技术丛书》已出版书目 264
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