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| 編輯推薦： |
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本书基于编者在微纳制造领域的实践经验与研究成果，并结合近年来国际上的最新进展，综合介绍了微纳制造技术与半导体器件工艺。
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| 內容簡介： |
本书基于编者在微纳制造领域的实践经验与研究成果，并结合近年来国际上的最新进展，综合介绍了微纳制造技术与半导体器件工艺。全书分为3 篇，共12章，包括半导体基本原理(半导体材料、能带和PN 结)、微纳制造工艺(掺杂、外延生长技术、光刻工艺、纳米压印光刻技术、刻蚀、沉积技术)、半导体器件(器件测试分析与表征技术、Ⅲ族氮化物发光二极管、SiC 压阻式压力传感器、器件仿真软件)等内容，对微纳制造和器件加工中涉及的技术与工艺进行了详细的介绍。
本书内容丰富，注重理论与实践相结合，适合作为机械、微电子、光学等相关专业的教材，供本科生和研究生学习使用，也可作为半导体行业研发人员的参考书。
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| 目錄：
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前言
第一篇半导体基本原理
第1章半导体材料
1.1半导体材料晶体结构
1.2单晶硅
1.3Ⅲ族氮化物
1.4碳化硅
1.5晶体缺陷
习题
参考文献
第2章能带和PN结
2.1能带
2.2半导体PN结
习题
参考文献
第二篇微纳制造工艺
第3章掺杂
3.1扩散
3.2离子注入
习题
参考文献
第4章外延生长技术
4.1晶体外延生长
4.2氢化物气相外延(HVPE)
4.3金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)
4.4分子束外延(MBE)
习题
参考文献
第5章光刻工艺
5.1光刻原理
5.2光学曝光技术
5.3光刻工艺流程
5.4光刻胶特性
5.5光刻掩模版制作
5.6极紫外光刻技术
5.7其他光刻技术
习题
参考文献
第6章纳米压印光刻技术
6.1纳米压印光刻技术简介
6.2纳米压印模具
6.3模具表面处理
6.4压印光刻胶
6.5典型纳米压印光刻工艺
习题
参考文献
第7章刻蚀
7.1刻蚀原理
7.2湿法刻蚀
7.3干法刻蚀
7.4刻蚀技术应用
习题
参考文献
第8章沉积技术
8.1物理气相沉积技术
8.2化学气相沉积技术
习题
参考文献
微纳制造与半导体器件目录第三篇半导体器件
第9章器件测试分析与表征技术
9.1扫描电子显微镜
9.2透射电子显微镜
9.3原子力显微镜
9.4X射线光电子能谱
9.5X射线衍射
9.6拉曼光谱
9.7俄歇电子能谱仪
9.8原子探针层析技术
9.9二次离子质谱分析
习题
参考文献
第10章Ⅲ族氮化物发光二极管
10.1发光二极管介绍
10.2LED外延结构及生长工艺
10.3LED芯片结构及制造工艺
习题
参考文献
第11章SiC压阻式压力传感器
11.1SiC压阻式压力传感器工作原理
11.2SiC压阻式压力传感器设计与制造
习题
参考文献
第12章器件仿真软件
12.1SimuLED
12.2Silvaco TCAD
12.3COMSOL Multiphysics
12.4LightTools
12.5FDTD Solutions
习题
参考文献
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| 內容試閱：
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前言
在半导体技术迅速发展和智能制造需求持续增长的背景下，微纳制造成为现代科学研究和工程领域的关键技术。微纳制造是一种致力于在微米和纳米尺度上对材料进行加工的制造技术，它不仅能够满足现代电子和光电行业对更小尺寸、更高性能产品的需求，还能够为医疗、能源和环境等领域提供创新解决方案。通过精密控制和先进工艺，微纳制造在材料性能、器件性能和生产效率等方面取得了巨大突破，为现代科技的进步提供了强大的支撑。
本书基于编者在微纳制造领域的实践经验与研究成果，对半导体基本原理和常用的微纳制造工艺进行了论述，结合GaN基LED、SiC压阻式压力传感器等半导体器件阐述了微纳制造工艺的应用。全书共12章，分为3篇。第一篇包括第1、2章，分别介绍了半导体材料、能带和PN结等半导体相关的基本原理;第二篇包括第3~8章，分别介绍了掺杂、外延生长技术、光刻工艺、纳米压印光刻技术、刻蚀、沉积技术等微纳制造工艺;第三篇包括第9~12章，分别介绍了器件测试分析与表征技术、Ⅲ族氮化物发光二极管、SiC压阻式压力传感器、器件仿真软件等与半导体器件相关的技术方法与应用。
本书的编写旨在给读者提供微纳制造与半导体器件相关的知识，引领读者深入了解和应用这些知识，为他们在科研、工程和创新工作中提供一定帮助。在本书的阅读过程中，读者可以掌握微纳制造和半导体器件的最新进展和研究趋势，了解相关领域的前沿技术和挑战，探索创新思路和解决方案。此外，本书还提供实践案例和课后习题，帮助读者将理论知识应用于实际问题中，提升思考和实践能力。
本书的编写得到了丁星火、杜鹏、高艺霖、胡锦风、蓝树玉、刘梦玲、刘鹏飞、刘星童、吕家将、缪佳豪、钱胤佐、徐浩浩、唐斌、陶国裔、郑晨居、赵杰等人的帮助与支持，在此向他们表示衷心的感谢。
由于编者水平有限，书中难免存在不足和欠妥之处，恳请广大读者批评指正。
编者
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