新書推薦：
《
零基础制作栩栩如生的立体纸艺花
》
售價：HK$
58.8
《
第三帝国图文史（修订版）：纳粹德国浮沉实录（彩色精装典藏版）
》
售價：HK$
201.6
《
四大会计师事务所：历史秘辛与未来挑战
》
售價：HK$
82.8
《
中国社会经济史
》
售價：HK$
106.8
《
犯罪心理X档案：法医精神科医生真实办案手记（第一季）法医精神科医师心理解剖手记
》
售價：HK$
57.6
《
台湾农业产业发展研究
》
售價：HK$
117.6
《
流风回雪：六朝名士的庙堂与山林（论衡系列）
》
售價：HK$
81.6
《
妈妈，我想为自己而活
》
售價：HK$
69.6
|
| 內容簡介： |
|
《太阳能电池材料与应用》首先介绍太阳能光伏发电的历史、现状及其在未来能源结构中的核心地位，然后阐述太阳能电池的物理基础、各种类型太阳能电池的基本结构、基本工艺及其光电转换的基本原理，在此基础上，详细介绍各种太阳能电池材料的基本性质、制备原理和技术。《太阳能电池材料与应用》从材料制备和性能的角度出发，在了解各种太阳能电池材料对应的新型高效太阳能电池的结构、原理和工艺特色的基础上，全面阐述各种太阳能电池材料，包括最前沿的新型太阳能电池材料、材料结构和组成对太阳能电池性能的影响。《太阳能电池材料与应用》介绍的太阳能电池材料包括单晶硅、多晶硅、非晶硅、Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族等无机太阳能电池材料以及染料敏化、聚合物、钙钛矿等有机太阳能电池材料。
|
| 目錄：
|
|
目录第1章 太阳能和太阳能电池材料 11.1 太阳能概述 11.1.1 太阳能的基本性质 11.1.2 太阳能的辐射和吸收 11.2 光伏发电 31.2.1 光伏发电简介 31.2.2 光伏发电的历史和现状 41.2.3 光伏发电在未来能源结构中的核心地位 61.3 太阳能电池 81.3.1 太阳能电池的类型和结构 81.3.2 太阳能电池研究和应用的历史与现状 111.4 半导体材料和太阳能电池材料 151.4.1 半导体材料 151.4.2 太阳能电池材料 16参考文献 19第2章 太阳能电池的物理基础 212.1 半导体物理基础 212.1.1 半导体材料的结构 212.1.2 载流子和能带 232.1.3 杂质和缺陷 272.1.4 平衡态载流子 312.1.5 非平衡载流子的产生与复合 362.1.6 载流子输运性质 442.2 半导体的p-n结 472.2.1 p-n结的结构和制备 472.2.2 热平衡下p-n结的能带结构 492.2.3 p-n结的伏安特性 502.2.4 异质结 522.3 金属-半导体接触 542.3.1 金属-半导体肖特基结 542.3.2 欧姆接触 562.4 光伏基本原理 582.4.1 光生伏特效应 582.4.2 太阳能电池伏安特性 592.4.3 太阳能电池的效率 592.4.4 太阳能电池效率分析 61参考文献 66第3章 晶体硅太阳能电池材料 683.1 硅的基本性质 683.1.1 晶体硅的能带结构和晶体结构 683.1.2 晶体硅的性质 693.2 晶体硅太阳能电池 703.2.1 常规晶体硅太阳能电池的结构和基本工艺 713.2.2 新型晶体硅太阳能电池的结构和工艺特色 773.3 多晶硅原料的制备 813.3.1 高纯多晶硅原料的制备 823.3.2 太阳能级多晶硅原料的制备 823.4 单晶硅的制备 843.4.1 区熔单晶硅 843.4.2 直拉单晶硅 853.5 铸造多晶硅的制备 883.5.1 铸造多晶硅的制备装置 893.5.2 铸造多晶硅的生长工艺 903.5.3 新型铸造晶体硅生长工艺 933.6 晶体硅的掺杂 943.6.1 分凝和分凝系数 953.6.2 掺杂 973.7 硅片加工 993.7.1 切割、切方块和滚圆 993.7.2 切片和化学腐蚀 1003.8 晶体硅中的杂质和缺陷对太阳能电池的影响 1033.8.1 晶体硅中的氧杂质 1033.8.2 晶体硅中的碳 1103.8.3 晶体硅中的氮 1113.8.4 晶体硅中的金属杂质 1133.8.5 晶体硅中的缺陷 1173.9 氢钝化和吸杂 1223.9.1 多晶硅材料的氢钝化 1223.9.2 晶体硅材料的吸杂 123参考文献 125第4章 非晶硅和多晶硅薄膜太阳能电池材料 1284.1 非晶硅薄膜的基本性质 1294.1.1 非晶硅的结构 1294.1.2 非晶硅的能带结构 1304.1.3 非晶硅的基本特性 1324.2 非晶硅薄膜太阳能电池 1334.2.1 非晶硅薄膜太阳能电池的优缺点及其发展方向 1334.2.2 非晶硅薄膜太阳能电池的结构和工作原理 1344.3 非晶硅薄膜的制备 1384.3.1 等离子体增强化学气相沉积制备非晶硅薄膜 1384.3.2 其他方法制备非晶硅薄膜 1464.4 非晶硅薄膜中的杂质和缺陷 1484.4.1 非晶硅薄膜的掺杂 1484.4.2 非晶硅薄膜中的氢 1484.4.3 非晶硅薄膜中的其他杂质 1494.5 非晶硅薄膜的光致衰减 1504.5.1 非晶硅薄膜的光致衰减效应 1504.5.2 非晶硅薄膜光致衰减效应的成因 1504.5.3 非晶硅薄膜光致衰减效应的消除 1524.6 非晶硅合金薄膜 1534.6.1 非晶硅碳合金薄膜 1534.6.2 非晶硅锗合金薄膜 1544.7 多晶硅薄膜的基本性质和太阳能电池 1554.7.1 多晶硅薄膜的晶体结构和基本特性 1554.7.2 多晶硅薄膜太阳能电池的基本结构和工艺 1564.8 多晶硅薄膜的制备 1584.8.1 化学气相沉积制备多晶硅薄膜 1584.8.2 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 161参考文献 165第5章 Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池材料 1675.1 GaAs材料的性质 1675.1.1 GaAs的晶体结构 1675.1.2 GaAs的能带结构 1685.1.3 GaAs的基本特性 1685.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池 1705.2.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池的历史、现状和特点 1705.2.2 GaAs薄膜太阳能电池的结构和工作原理 1725.3 单晶GaAs的制备 1815.3.1 布里奇曼法制备GaAs体单晶 1825.3.2 液封直拉法制备GaAs体单晶 1845.4 GaAs单晶薄膜的制备 1855.4.1 LPE技术制备GaAs单晶薄膜 1855.4.2 MOCVD技术制备GaAs单晶薄膜 1875.4.3 MBE技术制备GaAs单晶薄膜 1895.4.4 Ge、Si衬底上外延制备GaAs薄膜材料 1905.5 GaAs晶体中的杂质和缺陷 1925.5.1 GaAs晶体的掺杂 1925.5.2 GaAs晶体中的其他杂质 1945.5.3 GaAs晶体中的缺陷 1965.5.4 GaAs晶体的氢钝化 197参考文献 200第6章 Ⅱ-Ⅵ和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物太阳能电池材料 2026.1 CdTe、CdS、CIS、CIGS 等材料的结构和性质 2036.1.1 晶体结构 2036.1.2 CdTe、CdS、CIS 和CIGS的相图 2046.1.3 CdTe、CdS、CIS、CIGS等的基本特性 2066.2 Ⅱ-Ⅵ和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物太阳能电池 2086.2.1 Ⅱ-Ⅵ族和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物太阳能电池的历史、现状和特点 2086.2.2 Ⅱ-Ⅵ族和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物薄膜太阳能电池的结构和工作原理 2106.3 Ⅱ-Ⅵ族和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物薄膜的制备及薄膜质量的控制 2156.3.1 近空间升华法 2156.3.2 电化学沉积法 2206.3.3 化学水浴法 2236.3.4 多元共蒸发法 2286.3.5 金属预置层硒化、硫化法 2326.3.6 其他方法 235参考文献 237第7章 新型薄膜太阳能电池 2407.1 有机薄膜太阳能电池 2407.1.1 有机薄膜太阳能电池的发展现状和展望 2407.1.2 有机薄膜太阳能电池的电池结构和工作原理 2427.1.3 有机薄膜太阳能电池基本参数 2467.1.4 有机薄膜太阳能电池材料及其影响 2477.2 钙钛矿太阳能电池 2547.2.1 钙钛矿太阳能电池的发展历史和展望 2547.2.2 钙钛矿太阳能电池结构和工作原理 2567.2.3 钙钛矿太阳能吸光材料及其对电池的影响 2607.2.4 电荷传输层和其对电池的影响 2647.2.5 电极和其对电池的影响 266参考文献 267
|
|
購物車/收銀台(
0
) | 在線留言板
| 付款方式
| 運費計算
| 聯絡我們
| 幫助中心 |
加入書簽
HOME
新書上架
