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『簡體書』CMOS芯片结构与制造技术

書城自編碼： 3712674
分類：簡體書→大陸圖書→工業技術→電子/通信
作者：潘桂忠
國際書號(ISBN)： 9787121425004
出版社：电子工业出版社
出版日期： 2021-12-01

頁數/字數： /
釘裝：平塑

售價：HK$ 197.5

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內容簡介：

本书从CMOS芯片结构技术出发，系统地介绍了微米?p亚微米?p深亚微米及纳米CMOS制造技术，内容包括单阱 CMOS?p双阱CMOS?pLV/HV 兼容 CMOS?pBiCMOS?pLV/HV兼容BiCMOS，以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件?p制造技术及主要参数所组成的综合表，从芯片结构出发，利用计算机和它所提供的软件，描绘出芯片制造的各工序剖面结构，从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构，介绍了各种典型制造技术，并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构，对于电路设计?p芯片制造?p良率提升?p产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。本书技术含量高，非常实用，可作为芯片设计?p制造?p测试及可靠性等方面工程技术人员的重要参考资料，也可作为微电子专业高年级本科生的重要参考书，还可供信息领域其他专业的学生和相关科研人员?p工程技术人员参考。

關於作者：

潘桂忠，男，工作期间主要从事集成电路设计，工艺技术，芯片结构，电路研制以及生产等领域工作，退休后受聘于各单位(北电或新茂半导体公司，清华大学微电子所，华大ＩＣ设计中心在沪分公司，复华公司以及上海五官科医院等)任高级技术顾问。曾在国内不同刊物上发表论文50余篇，曾编著《MOS集成电路结构与制造技术》《MOS集成电路工艺与制造技术》等书。

第1章 LSI/VLSI制造基本技术11.1 基础工艺技术11.1.1 基础工艺技术11.1.2 工艺制程31.1.3 工艺一体化41.2 器件隔离技术41.2.1 LOCOS隔离41.2.2 浅槽隔离61.2.3 PN结隔离71.3 衬底与阱技术81.3.1 CMOS工艺与阱的形成81.3.2 可靠性与阱技术101.3.3 外延与SOI衬底101.4 栅与源?p漏结的形成技术111.4.1 栅工艺111.4.2 源?p漏结构的形成121.4.3 漏极技术131.5 接触的形成与多层布线技术131.5.1 接触的形成141.5.2 金属化系统141.5.3 多层布线工艺与平坦化技术141.6 BiCMOS技术151.7 LV/HV兼容技术161.7.1 LV/HV兼容CMOS161.7.2 LV/HV兼容BiCMOS171.7.3 LV/HV兼容BCD181.8 MOS集成电路工艺设计191.8.1 硅衬底参数设计201.8.2 栅介质材料201.8.3 栅电极材料211.8.4 阈值电压设计211.8.5 工艺参数设计221.9 MOS集成电路设计与制造技术关系241.9.1 芯片结构及其参数251.9.2 芯片结构技术251.9.3 芯片制造26第2章单阱CMOS芯片与制程剖面结构282.1 P-Well CMOS（A）282.1.1 芯片平面/剖面结构292.1.2 工艺技术322.1.3 工艺制程322.2 P-Well CMOS（B）342.2.1 芯片剖面结构342.2.2 工艺技术352.2.3 工艺制程382.3 P-Well CMOS（C）392.3.1 芯片剖面结构402.3.2 工艺技术402.3.3 工艺制程432.4 HV P-Well CMOS452.4.1 芯片剖面结构462.4.2 工艺技术462.4.3 工艺制程492.5 N-Well CMOS（A）512.5.1 芯片平面/剖面结构522.5.2 工艺技术552.5.3 工艺制程552.6 N-Well CMOS（B）572.6.1 芯片剖面结构572.6.2 工艺技术582.6.3 工艺制程612.7 N-Well CMOS（C）622.7.1 芯片剖面结构632.7.2 工艺技术632.7.3 工艺制程662.8 HV N-Well CMOS672.8.1 芯片剖面结构682.8.2 工艺技术692.8.3 工艺制程71第3章双阱CMOS芯片与制程剖面结构733.1 亚微米CMOS（A）743.1.1 芯片平面/剖面结构753.1.2 工艺技术793.1.3 工艺制程803.2 亚微米CMOS（B）813-2-1 芯片剖面结构823.2.2 工艺技术823.2.3 工艺制程853.3 亚微米CMOS（C）873.3.1 芯片剖面结构873.3.2 工艺技术883.3.3 工艺制程913.4 深亚微米CMOS（A）933.4.1 芯片剖面结构943.4.2 工艺技术943.4.3 工艺制程973.5 深亚微米CMOS（B）993.5.1 芯片剖面结构993.5.2 工艺技术1003.5.3 工艺制程1033.6 深亚微米CMOS（C）1053.6.1 芯片剖面结构1063.6.2 工艺技术1063.6.3 工艺制程1113.7 纳米CMOS（A）1123.7.1 芯片剖面结构1133.7.2 工艺技术1143.7.3 工艺制程1153.8 纳米CMOS（B）1183.8.1 芯片剖面结构1193.8.2 工艺技术1203.8.3 工艺制程1223.9 纳米CMOS（C）1243.9.1 芯片剖面结构1253.9.2 工艺技术1253.9.3 工艺制程1293.10 纳米CMOS（D）1303.10.1 芯片剖面结构1313.10.2 工艺技术1323.10.3 工艺制程137第4章 LV/HV兼容CMOS芯片与制程剖面结构1394.1 LV/HV P-Well CMOS（A）1404.1.1 芯片平面/剖面结构1404.1.2 工艺技术1414.1.3 工艺制程1454.2 LV/HV P-Well CMOS（B）1474.2.1 芯片剖面结构1484.2.2 工艺技术1484.2.3 工艺制程1514.3 LV/HV P-Well CMOS（C）1524.3.1 芯片剖面结构1534.3.2 工艺技术1544.3.3 工艺制程1574.4 LV/HV N-Well CMOS（A）1584.4.1 芯片剖面结构1594.4.2 工艺技术1604.4.3 工艺制程1634.5 LV/HV N-Well CMOS（B）1644.5.1 芯片剖面结构1654.5.2 工艺技术1664.5.3 工艺制程1684.6 LV/HV N-Well CMOS（C）1704.6.1 芯片剖面结构1714.6.2 工艺技术1714.6.3 工艺制程1744.7 LV/HV Twin-Well CMOS（A）1764.7.1 芯片剖面结构1774.7.2 工艺技术1774.7.3 工艺制程1814.8 LV/HV Twin-Well CMOS（B）1824.8.1 芯片剖面结构1834.8.2 工艺技术1844.8.3 工艺制程187第5章 BiCMOS芯片与制程剖面结构1895.1 P-Well BiCMOS[C]1905.1.1 芯片平面/剖面结构1915.1.2 工艺技术1955.1.3 工艺制程1965.2 P-Well BiCMOS[B]-（A）1975.2.1 芯片剖面结构1985.2.2 工艺技术1995.2.3 工艺制程2025.3 P-Well BiCMOS[B]-（B）2035.3.1 芯片剖面结构2045.3.2 工艺技术2055.3.3 工艺制程2085.4 N-Well BiCMOS[C]2105.4.1 芯片剖面结构2105.4.2 工艺技术2115.4.3 工艺制程2135.5 N-Well BiCMOS[B]-（A）2155.5.1 芯片剖面结构2165.5.2 工艺技术2165.5.3 工艺制程2205.6 N-Well BiCMOS[B]-（B）2225.6.1 芯片剖面结构2225.6.2 工艺技术2235.6.3 工艺制程2275.7 Twin-Well BiCMOS[B]-（A）2295.7.1 芯片剖面结构2305.7.2 工艺技术2305.7.3 工艺制程2345.8 Twin-Well BiCMOS[B]-（B）2365.8.1 芯片剖面结构2375.8.2 工艺技术2375.8.3 工艺制程241第6章 LV/HV兼容BiCMOS芯片与制程剖面结构2446.1 LV/HV P-Well BiCMOS[C]2446.1.1 芯片平面/剖面结构2456.1.2 工艺技术2456.1.3 工艺制程2506.2 LV/HV P-Well BiCMOS[B]-（A）2516.2.1 芯片剖面结构2526.2.2 工艺技术2526.2.3 工艺制程2566.3 LV/HV P-Well BiCMOS[B]-（B）2586.3.1 芯片剖面结构2596.3.2 工艺技术2596.3.3 工艺制程2636.4 LV/HV N-Well BiCMOS[C]2646.4.1 芯片剖面结构2656.4.2 工艺技术2666.4.3 工艺制程2696.5 LV/HV N-Well BiCMOS[B]-（A）2706.5.1 芯片剖面结构2716.5.2 工艺技术2726.5.3 工艺制程2756.6 LV/HV N-Well BiCMOS[B]-（B）2776.6.1 芯片剖面结构2786.6.2 工艺技术2786.6.3 工艺制程2826.7 LV/HV Twin-Well BiCMOS[C]2836.7.1 芯片剖面结构2846.7.2 工艺技术2856.7.3 工艺制程2886.8 LV/HV Twin-Well BiCMOS[B]2906.8.1 芯片剖面结构2916.8.2 工艺技术2916.8.3 工艺制程294第7章 LV/HV兼容BCD芯片与制程剖面结构2967.1 LV/HV P-Well BCD[C]2977.1.1 芯片平面/剖面结构2987.1.2 工艺技术2987.1.3 工艺制程3027.2 LV/HV P-Well BCD[B]-（A）3047.2.1 芯片剖面结构3057.2.2 工艺技术3057.2.3 工艺制程3097.3 LV/HV P-Well BCD[B]-（B）3107.3.1 芯片剖面结构3117.3.2 工艺技术3117.3.3 工艺制程3157.4 LV/HV N-Well BCD[C]3177.4.1 芯片剖面结构3187.4.2 工艺技术3187.4.3 工艺制程3217.5 LV/HV N-Well BCD[B]-（A）3237.5.1 芯片剖面结构3237.5.2 工艺技术3247.5.3 工艺制程3277.6 LV/HV N-Well BCD[B]-（B）3297.6.1 芯片剖面结构3307.6.2 工艺技术3317.6.3 工艺制程3347.7 LV/HV N-Well BCD[B]-（C）3367.7.1 芯片剖面结构3377.7.2 工艺技术3377.7.3 工艺制程3417.8 LV/HV Twin-Well BCD[C]3427.8.1 芯片剖面结构3437.8.2 工艺技术3447.8.3 工艺制程3477.9 LV/HV Twin-Well BCD[B]-（A）3487.9.1 芯片剖面结构3497.9.2 工艺技术3507.9.3 工艺制程3537.10 LV/HV Twin-Well BCD[B]-（B）3557.10.1 芯片剖面结构3567.10.2 工艺技术3567.10.3 工艺制程360附录A 术语缩写对照363附录B 简要说明367参考文献369

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