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『簡體書』微电子与集成电路设计导论(第2版)

書城自編碼: 4199373
分類:簡體書→大陸圖書→教材研究生/本科/专科教材
作者: 方玉明
國際書號(ISBN): 9787121517907
出版社: 电子工业出版社
出版日期: 2025-12-01

頁數/字數: /

售價:HK$ 60.5

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內容簡介:
本书是“十三五”江苏省高等学校重点教材,从通用性和实用性出发,全面介绍微电子和集成电路的基本概念、理论和发展。全书共6章,主要包括:微电子和集成电路基础知识和发展现状(概论)、半导体物理基础、半导体器件物理基础、半导体集成电路制造工艺、集成电路基础、新型微电子技术等。本书配套电子课件和习题参考答案等。本书可作为高等学校微电子、集成电路、电子、计算机等专业相关课程的教材,也可作为高职本科和高职高专相关课程的教材,还可供集成电路相关领域的工程技术人员学习和参考。
關於作者:
方玉明,女,南京邮电大学教授,中国通信学会会员,长期从事微电子与集成电路领域教学和科研工作,承担了多项国家级和省部级教研和科研项目。
目錄
目 录
第1章 概论1
1.1 微电子学的概念1
1.2 微电子学的战略地位3
1.3 微电子学的发展历史7
1.3.1 晶体管的发展历史7
1.3.2 集成电路的发展历史9
1.4 集成电路的分类12
1.5 微电子产业的发展现状15
1.6 微电子技术的发展20
1.7 本章小结27
思考题27
第2章 半导体物理基础28
2.1 半导体材料及其基本性质28
2.2 硅的晶格结构29
2.3 硅晶体中的缺陷32
2.4 半导体中的能带理论34
2.5 半导体的掺杂36
2.6 费米分布函数39
2.7 载流子的输运40
2.7.1 半导体中的载流子40
2.7.2 半导体中的载流子浓度40
2.7.3 载流子的输运机制42
2.8 连续性方程44
2.9 本章小结45
2.10 扩展阅读内容45
2.10.1 载流子的漂移运动与
迁移率的推导45
2.10.2 载流子扩散运动的推导46
思考题47
第3章 半导体器件物理基础48
3.1 PN结48
3.1.1 平衡PN结49
3.1.2 PN结能带50
3.1.3 正向偏置的PN结51
3.1.4 反向偏置的PN结52
3.1.5 PN结的伏安特性53
3.1.6 PN结电容54
3.1.7 PN结击穿55
3.1.8 PN结的应用58
3.2 双极型晶体管60
3.2.1 晶体管的结构及类型61
3.2.2 晶体管的电流放大原理62
3.2.3 晶体管中载流子浓度
分布63
3.2.4 晶体管的伏安特性曲线65
3.2.5 晶体管的频率特性69
3.2.6 晶体管的大电流特性71
3.3 MOSFET75
3.3.1 N沟道增强型MOSFET的器件结构76
3.3.2 N沟道增强型MOSFET的
能带图77
3.3.3 阈值电压79
3.3.4 工作原理81
3.3.5 特性曲线82
3.3.6 N沟道耗尽型MOSFET83
3.3.7 P沟道MOSFET及不同类型
MOSFET特性比较84
3.3.8 MOS功率场效应晶体管85
3.4 JFET86
3.4.1 JFET的基本结构86
3.4.2 JFET的工作原理87
3.4.3 JFET的输出特性曲线88
3.5 MESFET的基本结构和工作
原理89
3.6 本章小结89
3.7 扩展阅读内容――雪崩击穿
条件的推导90
思考题91
第4章 半导体集成电路制造工艺93
4.1 单晶生长及衬底制备93
4.1.1 单晶生长93
4.1.2 衬底制备95
4.2 光刻96
4.3 刻蚀101
4.4 掺杂技术103
4.4.1 扩散103
4.4.2 离子注入106
4.5 制膜技术108
4.5.1 氧化109
4.5.2 化学气相淀积115
4.5.3 物理气相淀积122
4.6 接触与互连124
4.7 隔离技术125
4.8 封装技术126
4.9 主要器件和工艺流程示例127
4.9.1 PN结127
4.9.2 晶体管的制造工艺128
4.9.3 双极型集成电路的工艺
流程129
4.9.4 MOS集成电路的工艺
流程132
4.10 本章小结134
思考题134
第5章 集成电路基础136
5.1 集成电路概述136
5.1.1 集成电路的性能指标136
5.1.2 集成电路的组成要素137
5.1.3 集成电路的分类138
5.1.4 集成电路的发展138
5.2 数字集成电路139
5.2.1 数字逻辑简介139
5.2.2 CMOS反相器性能指标141
5.2.3 CMOS逻辑门电路148
5.2.4 CMOS集成电路的特点154
5.3 双极型和BiCMOS集成电路155
5.3.1 双极型集成电路155
5.3.2 BiCMOS集成电路156
5.4 模拟集成电路157
5.4.1 放大器的性能指标157
5.4.2 3种组态放大器159
5.4.3 差分放大器165
5.4.4 基准电压源167
5.4.5 基准电流源168
5.4.6 运算放大电路168
5.5 集成电路版图170
5.5.1 版图设计规则170
5.5.2 布图规则及布局布线
技术172
5.5.3 数字电路版图设计174
5.5.4 模拟电路版图设计175
5.6 集成电路设计工具介绍176
5.6.1 概述176
5.6.2 Cadence工具介绍177
5.6.3 ADS工具介绍178
5.6.4 Aether工具介绍179
5.7 大规模集成电路基础180
5.7.1 按比例缩小的基本理论――CE理论181
5.7.2 按比例缩小的CV理论182
5.7.3 按比例缩小的QCV
理论183
5.8 集成电路设计方法学183
5.9 本章小结184
思考题185
第6章 新型微电子技术187
6.1 SoC技术187
6.1.1 SoC技术现状及其分类188
6.1.2 SoC发展中的焦点技术189
6.1.3 SoPC190
6.2 微机电系统技术191
6.2.1 微机电系统的特点191
6.2.2 微机电系统的分类192
6.2.3 微机电系统的工艺材料193
6.2.4 微机电系统的应用领域194
6.3 生物芯片技术195
6.3.1 生物芯片发展历史195
6.3.2 生物芯片分类195
6.3.3 生物芯片的应用前景196
6.4 纳电子技术196
6.4.1 纳电子器件197
6.4.2 纳电子材料199
6.5 纳米相关技术200
6.6 本章小结202
思考题203
参考文献204

 

 

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