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| 編輯推薦： |
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本书是影印英文版物理学专著，原书由世界科技出版社于2006年出版。多层纳米结构中的输运将会是未来极为重要的纳米技术应用，而动力学平均场论正是研究这一过程的手段。本书作者正是这一领域的主要研究者之一，又有丰富的授课经验。因而本书对这一课题作了深入探讨，同时讲解清晰、易于理解。还有，本书为彩色印刷，印制精美，是外观与内容并重的佳作。
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| 內容簡介： |
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本书从介绍器件、强关联电子系统、多层纳米结构入手，讨论了在多层纳米结构中的输运现象，而其贯穿始终的方法是动力学平均场论。具体内容包括利用动力学平均场论来计算电子格林函数、线性响应输运，约瑟夫森结、热电器件等中的输运现象等，最后还讨论了非平衡和非线性响应。本书可以作为相关领域研究生的教材，也可作为科研工作者的参考书。
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| 目錄：
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Preface
Acknowledgments
1.IntroductiontoMultilayeredNanostructures
1.1ThinFilmGrowthandMultilayeredNanostructures
1.2StronglyCorrelatedMaterials
1.3TheProximityEffect
1.4ElectronicChargeReconstructionatanInterface
1.5RoadmaptoReal-MaterialsCalculations
2.DynamicalMean-FieldTheoryintheBulk
2.1ModelsofStronglyCorrelatedElectrons
2.2SecondQuantization
2.3ImaginaryTimeGreen''sFunctions
2.4RealTimeGreen''sFunctions
2.5TheLimitdooandtheMappingontoaTime-DependentImpurityProblem
2.6ImpurityProblemSolvers
2.7ComputationalAlgorithms
2.8Linear-Responsedc-TransportintheBulk
2.9Metal-InsulatorTransitionswithinDMFT
2.10BulkChargeandThermalTransport
3.DynamicalMean-FieldTheoryofaMultilayeredNanostructure
3.1Potthoff-NoltingApproachtoMultilayeredNanostructures
3.2QuantumZipperAlgorithm（RenormalizedPerturbationExpansion）
3.3ComputationalMethods.
3.4DensityofStatesforaNanostructure
3.5LongitudinalChargeTransportThroughaNanostructure
3.6ChargeReconstruction（SchottkyBarriers）
3.7LongitudinalHeatTransportThroughaNanostructure
3.8SuperconductingLeadsandJosephsonJunctions
3.9FiniteDimensionsandVertexCorrections
4.ThoulessEnergyandNormal-StateTransport
4.1HeuristicDerivationoftheGeneralizedThoulessEnergy
4.2ThoulessEnergyinMetals
4.3ThoulessEnergyinInsulators
4.4CrossoverfromTunnelingtoIncoherentTransportinDevices
5.JosephsonJunctionsandSuperconductingTransport
5.1IntroductiontoSuperconductingElectrorucsDevices
5.2SuperconductingProximityEffect
5.3JosephsonCurrent
5.4Figure-of-MeritforaJosephsonJunction
5.5EffectsofTemperature
5.6DensityofStatesandAndreevBoundStates
6.ThermalTransport
6.1ElectronicChargeReconstructionNearaMetal-InsulatorTransition
6.2ThermalTransportThroughaBarrierNeartheMetal-InsulatorTransition
7.FutureDirections
7.1SpintronicsDevices
7.2MultibandModelsforRealMaterials
7.3NonequilibriumProperties
7.4Summary
AppendixAProblems
Bibliography
Index
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